卡迪夫大學(xué)（威爾士）的研究人員創(chuàng)造了納米激光器，每個(gè)納米激光器的占位面積僅為3×3μm，可以集成到絕緣體上的硅（SOI）光子電路中。激光器發(fā)射1290nm的光，通過硅中的2D光柵引入硅中。

“這是第一個(gè)展示光子帶邊激光器如何直接集成在圖案化的SOI平臺(tái)上的演示” Diana Huffaker教授說，目前她是卡迪夫大學(xué)物理與天文學(xué)院復(fù)合半導(dǎo)體研究所的科學(xué)主任。

這個(gè)基于銦鎵砷/磷化銦（InGaAs / InP）的室溫激光器以9 x 9陣列制造，其腔質(zhì)量Q因子為23,000，閾值為200μJcm^-2。

“這項(xiàng)研究將對(duì)快速發(fā)展的光子學(xué)領(lǐng)域產(chǎn)生長(zhǎng)期影響，特別是對(duì)推動(dòng)大批量，高規(guī)格光學(xué)元件商品化，使其用于大眾通信市場(chǎng)和傳感應(yīng)用有深遠(yuǎn)意義。”化合物半導(dǎo)體主管Wyn Meredith說。